Akıllı telefonlarda terabayt sınırı aşıldı

  • Şubat 9, 2019
  • 0

Akıllı telefonların yanısıra hafıza teknolojilerine de odaklanan cenup Koreli Samsung Electronics, sektördeki evvel tek TB gömülü global Flash Depolama (eUFS) 2.1’i duyurdu. tertemiz çözüm tek sonraki kuşak mobil uygulamalarda kullanılacak.

Böylece Samsung, evvel UFS çözümünü (128 GB eUFS) sunduktan dört sene ardindan akıllı telefonlarda terabyte hududunu arkada bırakmış oldu. Bu çözümle akıllı telefon kullanıcıları üst düzey laptop bilgisayarlara eş tek depolama kapasitesine, telefonlarına ek hafıza kartları almadan erişebilecek.

Samsung Electronics hafıza Satış ve Pazarlamadan sorumlu reis Yardımcısı Cheol Choi, tek TB kapasiteli eUFS’nin, tertemiz kuşak mobil cihazlarda laptop pc benzeyen tek deney sunmada ağırbaşlı tek yollar oynayacağını söyledi.

1 TB eUFS, Samsung’un 512-gigabit V-NAND flash belleklerinden 16 katmanı ve tertemiz geliştirdiği kontrolcüyü tek araya getirerek, 512 GB’lık evvelki sürüm ile aynı boyutlarda (11.5 milimetre x 13 mm) iki kat kapasite sunabiliyor.

Bu hafıza çözümüyle akıllı telefon kullanıcıları artık 10 dakikalık 260 adet 4K UHD (3840×2160) videoyu cihazlarına kaydedebilecek. nihayet vakitlerde üst düzey akıllı telefonlarda yaygın olarak kullanılan 64 GB eUFS ile aynı boyutta 13 adet video saklanabiliyor.

ÜRETİMİNE ÖNÜMÜZDEKİ AYLARDA BAŞLANACAK

Yeni eUFS, 1000 MB/sn’ye varan hızıyla standart tek 2.5 ‘ SATA SSD’den iki kata civarindan dahada çok sıralı okuma hızı sunuyor. 5 GB boyutunda Full HD video klipler tek NVMe SSD’ye 5 saniye içinde aktarılabiliyor. Bu da standart tek microSD karta göre 10 kata civarindan dahada çok hız mananına geliyor.

Ayrıca, rastgele okuma hızı da 512 GB’lık sürüme göre yüzde 38’e varan oranlarda artırılarak 58.000 IOPS düzeyine ulaşabiliyor. Rastgele yazma ise 50.000 IOPS’a varan tek microSD karttan (100 IOPS) 500 kata civarindan hızlı vaziyete geldi.

Rastgele hızlar sayesinde saniyede 960 kare çok hızlı kesintisiz çekim uygulamak mümkün vaziyete geliyor. Samsung, 2019’un evvel yarısında beşinci kuşak 512 Gb V-NAND belleklerinin üretimini Kore’deki Pyeongtaek tesisinde de yapmaya başlayacak.

önceki haber «
sonraki haber »

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir